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更新時間：2024-09-10 
瀏覽次數(shù)：533DRAM 是一種使用半導(dǎo)體元件的易失性存儲設(shè)備（存儲器）。
動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的縮寫，主要安裝在計(jì)算機(jī)中。由于內(nèi)部電路具有非常簡單的結(jié)構(gòu)，具有用于存儲電荷的電容器和FET（場效應(yīng)晶體管），因此由于FET半導(dǎo)體工藝的小型化，其具有低存儲容量單元的特點(diǎn)，因此適合大規(guī)模集成。與其他存儲介質(zhì)相比的價格。
DRAM 的主要用途是在計(jì)算機(jī)中。存儲器部分采用電容器和FET（場效應(yīng)晶體管），結(jié)構(gòu)簡單，存儲器容量的單價較低，適合用于需要廉價、大容量存儲器的計(jì)算機(jī)和工業(yè)機(jī)械控制設(shè)備。正在
由于DRAM的結(jié)構(gòu)是利用電容器累積的電荷來存儲信息，因此它會消耗大量電力，因?yàn)樗粩鄨?zhí)行刷新操作來寫入和讀取信息以保持電荷，因此很少在小型設(shè)備中使用例如智能手機(jī)和移動終端。
DRAM背后的原理是，它使用二進(jìn)制數(shù)作為存儲介質(zhì)來處理大量數(shù)據(jù)，當(dāng)內(nèi)部電路的電容器中存儲有電荷時為1，當(dāng)沒有電荷時為0。 DRAM 由一對稱為 FET 的電路和稱為存儲單元的電容器組成，內(nèi)部大量存在。
寫入數(shù)據(jù)時，通過FET在電容器中積累電荷且電壓變高的部分設(shè)置為1，未積累電荷的部分設(shè)置為0。讀取數(shù)據(jù)時，相關(guān)位置的電荷被釋放，通過與寫入相反的操作，從電容器中積累的電荷狀態(tài)區(qū)分出0和1。它是一個通過無數(shù)次執(zhí)行這些操作來存儲和表示數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的系統(tǒng)。
從這個機(jī)制可以看出，DARM需要施加電壓來在電容器中積累電荷，因此它只能在電流流動時保留信息。因此，DRAM被歸類為易失性存儲器。
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